采用激光对重掺杂 SiC 表面沉积一种或几种过渡金属进行合金化,精确控制激光能量和分布,形成良好的欧姆接触。采用激光方式可忽略衬底正面结构的影响,更好的与减薄工艺兼容,简化工艺流程,提高器件性能。
· 支持薄片退火 · 优秀的退火表面形貌和电学特征
· 10-5Ωcm²量级的比接触电阻率
· 高效率、低成本控制
· I F 值提高 30% 以上 · 完整的全程监控反馈功能
≤ 10 -5Ωcm²
Chengdu Laipu Technology co.,LTD